现时有颇多领域，例如光电、太阳能等，对特大面积模板上造出纳米级图形有着越来越大的需求。一般制作纳米图像转移，可能只有10mm X10mm大的已经是一项挑战，现在面积动辄上1平方米而且不能有缝，这就更显得往极限挑战。 以上介绍过造母模板的方法当中，我们选择了干涉式蚀刻法Interference Laser Lithography.

这方法不采用在某一平面的不同小区重复曝光的方法（step & repeat）而是以平衡平铺式同时曝光，在大面积光刻胶上造出各样图形，调试复杂的参数可选择不同形状结构，结构几何可以随着调试选择正弦曲线、抛物线等

图示干涉式蚀刻法

干涉蚀刻法利用镜片和透镜将特定波长光束分叉再扩阔并相交形成干涉正弦曲線纹，以此使光刻胶曝光，在一平面显影出一致规格的图形，其周期由入射角决定。现时351nm波长比较通用，造出来的图形间距不到200nm,若要再低就须光源及光刻胶的配合.

纳米压印是一个非常简单的图形转移方法，它只需要一台压印机，一套模具和基板如PET薄膜。运用压力把模具图案转移到极板上，也可以通过UV固化转到UV胶上。今天因为纳米压印暂趋成熟，RTR纳米压印已冲出实验室了。

精准的模具制造，门槛虽高但很多供应商都具有服务半导体行业的经验与技术，这方面大致克服，至于脱模和残胶的问题，随着各种蚀刻的进步都能获得明显的解决。纳米压印用在大面积图象转移也是十分受关注的技朮，原因是它成本较低而且比较简单，整套技朮容易掌握。

卷对卷RTR纳米压印是量产的理想工具，它可以直接压在薄膜上或UV胶上，简单的压印过程当然不意味着设备的构造简单；举例，滚筒形的模具是一项挑战。对于直接压印在薄膜上，我们会造出镍制薄片将其精准地嵌在金属滚筒上，若牙龈对象是UV胶层，我们会相应造出软性透明薄模具后将它嵌在透明滚筒上。现时压印图形低于100nm，RTR的速度普遍能达每分钟5米。

UV 蚀刻在半导体行业中4-12”晶圆被普遍使用。为回应市场对大面积蚀刻的需要，例如平面的显示或图形大于10微米的集成电路，我们建造了两台UV 蚀刻线。

• 晶圆最大8“
• 大面积20 x 24“（500mm x 600mm）


我们花了很长时间研发大面积曝光，现时是世界唯一使用UV蚀刻大面积地（500 x 600mm） 蚀刻出0.8微米和高宽比例（aspect ratio）达5的结构。我们与世界顶尖的光刻胶都做过配对测试并得出理想结果。

因应客户便于脱模，我们设备已专门为结构垂直部分有0-8度缓冲调校。

从已图形化的UV胶复制出金属模具，我们的电铸工艺给客户多一个有保证的选择。最终用上什么金属决定我们在图形上怎样溅镀和溅镀些什么，不同的金属对脱模有不同反应。

金属通过电子化学沉积法慢慢在精细团上成型，我们会用多种电解质大致最理想的电镀效果