虚拟光刻 (Virtual Lithography)

RDA 光刻胶显影分析仪 (Photoresist Development Analysis Instrument)

测量及分析光刻胶排气 (PR Outgas Measusing & Analysis)

曝光系統 (Exposure System)

PAGA-100 光至产酸剂去保护团反应分析仪 (PAGA-100 PAG Deprotection Reaction Analyzer)

树脂品质检定 (Resin Quality Inspection)

3合1 涂布/烘烤/显影 光刻胶小型实驗室 (3 in 1 Spincoat/Baking/Developing Robot unit. for Photorestist R&D)

半自动均胶及烘烤设备 (Semi-automated Spin Coatet & Bake Plate System)

视频

专家论述

曝光系統
Exposure System

一、简介


LTJ 新型曝光系统 VUVES-4700 & 4700i 配备 Energetiq Inc. 的 LDLS 紫外灯，专供光刻胶研发工程使用，是评估和测试 193nm 和 248nm 曝光工艺不可或缺的设备。


二、系统配置及功能


(1) 光源
激光驱动光源（LDLS）

(2) 光学
VUVES-4700/4700i 具有可更换的光学单元以改变曝光波长, 更换步骤轻松快速。光学系统中，引入了四个分色镜、一个积分器和一个准直透镜。它以均匀的强度将单色光引入晶圆。

(3) 晶圆曝光单元
最多 25 个不同剂量的曝光区域。
以 N2 气体吹扫光路，抑制氧气对光的吸收和臭氧的产生。
兼容基板：4 - 8“硅片
曝光波长：193nm / 248nm
曝光面积：5x5mm2
最大曝光值：500 mJ/cm2
最小曝光单位：0.1 mJ/cm2
曝光均匀度：10% ( 4 x 4 mm2 区域内）

(4) 测量和剂量控制工具
自动时控快门开/关
曝光能量自动控制软件
功率计（NOVA-Ⅱ）和传感器（PD-300UV-193）Ophir Optronics

(5) 透光率测量功能
通过将光照射到施加在直径为 25mm 的石英基板上的光刻胶样品上，系统测量透光率随时间的变化。
透光率测量系统配置
   [1] 原位透光率测量软件
   [2] 附带 Dill ABC 参数计算软件

(6) 高精度冷却器
SMC Thermo-con HEC002-A5

(7) ArF 193nm 浸没式曝光功能
可用于 ArF 浸没式曝光。
LTJ 特制的浸没式曝光舱可以模拟特殊的浸没式曝光环境及条件。（如图 1）